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New PDF release: Elektronik: Ein Werkzeug für Naturwissenschaftler

By Hermann Hinsch

ISBN-10: 3540613609

ISBN-13: 9783540613602

ISBN-10: 3642614698

ISBN-13: 9783642614699

Nach der Einführung in die grundsätzliche Behandlung linearer Systeme und ihre Anwendung auf einfache Beispiele, vermittelt das Buch Kenntnisse über die Prinzipien und Eigenschaften der Halbleiterbauelemente Dioden, bipolare Transistoren, Feldeffekttransistoren, Leistungshalbleiter und Operationsverstärker. In mehreren Kapiteln werden die Bauelemente in Schaltungen und Verfahren eingesetzt. Hierunter fallen insbesondere Verstärkerschaltungen, aktive filter out, Regelungsverfahren und Netzgeräte. Zwei weitere Kapitel befassen sich mit der analogen und der digitalen Signalübertragung. Die wichtigsten Rauschursachen und die Methoden zur Rauschbefreiung werden beschrieben. Da in der modernen Elektronik die Optoelektronik ein wichtiges Teilgebiet geworden ist, wird auf Strahlungsempfänger und Strahlungsquellen auf Halbleiterbasis und die Glasfaser eingegangen. Nach den logischen Schaltungen mit vielen Beispielen wird am 68000, dem ersten Mitglied der 680X0-Familie, das Prinzip moderner Mikroprozessoren ausführlich gezeigt. Daran schließt sich eine Beschreibung der prinzipiellen Eigenschaften der bekannten 80X86-Prozessoren und des RISC-Prizips mit dem POWERPC 601 als Beispiel an. Insgesamt verfolgt das Buch die Absicht, dem Leser sowohl einen Überblick über die Grundlagen der Elektronik und die wichtigsten Teilgebiete der Elektronik als auch Detailkenntnisse zu verschaffen, so daß ihm der erfolgreiche Einsatz der Elektronik ermöglicht wird.

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Die vorliegende Arbeit entstand während meiner Tätigkeit als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Umformtechnik (IfU) der Universität Stuttgart. Herrn Prof. Dr. -Ing. habil. Klaus Pöhlandt danke ich herzlich für die Betreuung der Arbeit, für das mir entgegengebrachte Vertrauen, seine großzügige Förderung sowie die wertvollen Diskussionen und Anregungen.

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Wahrend m dem inform uber tngonometrische Reihen das Haupt mteresse auf der Konvergenzfrage hegt, werden in dem Teil uber Ortho gonalpolynome mehr die mdlvlduellen Eigenschaften derselben in den Vordergrund gestellt und auch zwel Paragraphen uber dIe allgemeinen Kugelfunktionen hmzugefugt. Ich erlaube mir, den Leser auf meine einheltliche Behandlung der sog.

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Der FET ist also sehr viel besser fur eine lineare Spannungsverstarkung einsetzbar. 22) berechnet werden: S aID I = uUGS r:lTT UD S = 2IDS U 2 (UGS P Up) 2 r;--r:= -U V IDSID P . 23) Fur S werden Werte von einigen bis 10 mA/V bei Stromen von einigen rnA erreicht. Diese Werte liegen wesentlich niedriger als bei bipolaren Transistoren bei vergleichbaren Stromen. Dementsprechend ist auch die maximale Spannungsverstarkung Vu = SrDs (Werte im Bereich 50 '" 300) viel kleiner als bei bipolaren Transistoren.

Beim Einschalten wahlt man einen groBen Basis-Strom, der den Transistor ohne zusatzliche MaBnahmen schnell in die Sattigung treiben wtirde. Sobald die Ausgangsspannung am Kollektor auf etwa 0,4 V abgesunken ist, und da die Basis-EmitterSpannung etwa 0,7 V und die DurchlaBspannung der Schottky-Diode 0,3 V betragen, beginnt die Diode zu leiten. Dadurch verhindert sie ein weiteres Ansteigen des Kollektor-Stromes und ein weiteres Absinken der Ausgangsspannung. Der Transistor verbleibt damit kurz unterhalb der Sattigung.

6. Schaltverhalten einer pn-Diode im pn-Ubergang hoch. Wird jetzt eine Spannung in Sperrichtung angelegt, so muB diese Konzentration abgebaut werden, was gleichbedeutend mit dem Entladen der Diffusionskapazitat ist. Dabei flieBt ein Strom L in der Ruckwartsrichtung, der wahrend der sog. Speicherzeit ts nur durch den Widerstand R begrenzt ist. Nach ts fallt der Strom exponentiell bis auf den Sperrstrom abo Je groBer der Strom h in Vorwartsrichtung ist, um so groBer wird ts. Bei Leistungsdioden, die groBe Strome zulassen, besitzt ts ziemlich groBe Werte von 0,1 ...

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Elektronik: Ein Werkzeug für Naturwissenschaftler by Hermann Hinsch


by Anthony
4.0

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